電子セラミック・プロセス研究会
法人会員・関係者 各位
平成31年 4月25日


電子セラミック ・ プロセス研究会
会長  山本 孝

第172回電子セラミック・プロセス研究会・一ノ瀬昇賞受賞記念講演会・年次総会


日時 : 2019年6月22日(土) 13:00より 場所 : 早稲田大学 西早稲田キャンパス63号館会議室     〒169-8555 新宿区大久保3-4-1     (副都心線 西早稲田駅に直結)     https://www.waseda.jp/top/access/nishiwaseda-campus 参加費: 法人会員 ・ 学生:無料,       上記以外 大学 ・ 公的研究機関 : 2,000 円、企業 : 5,000 円
評議員会 (評議員 ・ 役員のみ)
(11:30-12:20)

年次総会及び電子セラミック・プロセス研究会功労賞授与式
(12:20-13:00)

講演特集テーマ:積層セラミックコンデンサ技術 ~薄層大容量化・高信頼化への絶え間なき進化


鈴木 利昌(太陽誘電株式会社)
2019-172-954 「薄層大容量化・高信頼化に向けた磁器構造設計」 (13:00-13:40)
中村 友幸 氏 (株式会社村田製作所 コンデンサ事業部)
2019-172-954(13:00-13:40)
「薄層大容量化・高信頼化に向けた磁器構造設計」
中村 友幸 氏 (株式会社村田製作所 コンデンサ事業部)
 積層セラミックコンデンサの薄層大容量化・高信頼化に向けた磁器構造設計について、技術動向を紹介する。主に、粒内、粒界、セラミック-電極界面の切り口から絶縁性に関して、検討してみたい。


2019-172-955 「高温対応積層セラミックコンデンサの開発動向について」 (13:40-14:20)
秋場 博樹 氏(TDK株式会社 技術・知財本部 材料開発センター)
2019-172-955(13:00-13:30)
「高温対応積層セラミックコンデンサの開発動向について」
秋場 博樹 氏(TDK株式会社 技術・知財本部 材料開発センター)
 近年、自動車の安全及び環境志向によってエレクトロニクス化はますます進化しており、優れた特性を有するSiCやGaNなどのWBG(ワイドバンドギャップ)半導体パワーデバイスを用いた、高温動作可能なパワーモジュールを搭載した車両の実現が迫ってきている。 本講演では、そのパワーモジュールに搭載される積層セラミックコンデンサの現状の課題及び今後の開発動向についてご紹介します。


2019-172-956 「MLCCの絶縁劣化メカニズムの解析」 (14:20-15:00)
稲山 伸悟 氏(京セラ株式会社 ものづくり研究所 誘電体部品開発1課)
2019-172-956 (14:20-15:00)
「MLCCの絶縁劣化メカニズムの解析」
稲山 伸悟 氏(京セラ株式会社 ものづくり研究所 誘電体部品開発1課)
 車載・産機市場向け高信頼性MLCCの開発においては、MLCCの絶縁劣化及び絶縁破壊に影響を及ぼしている原因を明らかにする必要がある。弊社では、絶縁破壊直前の劣化凍結方法とFIB-SEMを用いた劣化箇所の可視化による電子伝導機構解明に取り組んでいる。本発表では、材料的に絶縁破壊に至る推定メカニズムと、取り組みの中で明らかになっているプロセス起因の異常について紹介する。


休 憩
(15:00-15:20)


座長: 坂本 渉(中部大学)
2019-172-957 「Applications of Hydrothermal Technology in Advanced Ceramics」 (15:20-16:00)
艾 遼東 氏(SINOCERA 技術センター)
2019-172-957 (15:20-16:00)
 「Applications of Hydrothermal Technology in Advanced Ceramics」
艾 遼東 氏(SINOCERA 技術センター)
 The report introduces the hydrothermal products and the research on the industrialization of the hydrothermal technology of Sinocera. The research results of hydrothermal technology for nano barium titanate, nano zirconium oxide and nano magnetic materials are mainly introduced.


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2019-172-958   「次世代移動通信基地局向けGaN増幅器技術」 (16:00-16:40)
新庄 真太郎 氏(三菱電機株式会社 情報技術総合研究所)
2019-172-958  (16:00-16:40)
「次世代移動通信基地局向けGaN増幅器技術」
新庄 真太郎 氏(三菱電機株式会社 情報技術総合研究所)
 新たなサービスやアプリケーション実現に必要な通信容量の拡大および通信の高速化に対応するため、第5世代などの次世代移動通信システム向け増幅器には、広帯域・高効率・高周波数帯での動作が求められている。本講演では、GaNデバイスを用いた増幅器技術の動向を報告する。


一ノ瀬昇賞セレモニー



 一ノ瀬昇賞主旨説明と選考過程報告 (16:40-16:50)
(16:40-16:50)
一ノ瀬昇賞主旨説明と選考過程報告
2019-172-959   【一ノ瀬昇賞受賞講演】 「積層セラミックスコンデンサの誘電体薄層化技術」 (16:50-17:30)
小西 幸宏 氏(太陽誘電株式会社 第一電子部品事業部 商品開発部)
2019-172-959 (16:50-17:30)
【一ノ瀬昇賞受賞講演】「積層セラミックスコンデンサの誘電体薄層化技術」
小西 幸宏 氏(太陽誘電株式会社 第一電子部品事業部 商品開発部)
 現在のスマートフォンに代表される、電子機器の小型化・高性能化には電子部品の小型・高性能化が欠かせない。これまで、受動部品である積層セラミックスコンデンサ(MLCC)においても、誘電体・内部電極の薄層化による小型・大容量化が行われ、層厚1um以下MLCCが実用化されている。講演では、厚さ1 um以下の薄層シートを実現するための、当時の薄層・高平滑化技術検討について報告すると共に、現在の技術応用についても紹介する。


 一ノ瀬昇賞授賞式 (17:30-17:40)
(17:30-17:40)
一ノ瀬昇賞授賞式


 引き続き、17時50分頃より、西早稲田キャンパス63号館1階ラウンジ「ロームスクエア」で自由討論会(参加費3,000円)を開催いたします。奮ってご参加いただき、討論をお続けください。

第172回担当幹事:鈴木 利昌(太陽誘電株式会社)
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