電子セラミック・プロセス研究会
法人会員・関係者 各位
令和5年2月7日


電子セラミック ・ プロセス研究会
会長  山本 孝

第192回電子セラミック・プロセス研究会プログラム


日 時: 2023年3月4日(土)13:00 ~ 17:30 場 所:TKP品川カンファレンスセンターANNEX(カンファレンスルーム8) + Zoomオンライン ハイブリッド開催               〒108-0074 東京都港区高輪3丁目13-1 TAKANAWA COURT               (JR山手線 品川駅 高輪口 徒歩4分) 会場URL
注)参加には事前の登録が必要になりますので、非会員の方はオンライン担当までお問い合わせください。 また、感染対策の一環として会場参加人数には制限を設けています。そのため、ご希望に添えないこと がありますこと、あらかじめご理解ください。会場での参加をご希望の方は、早めの参加登録をお願い します(定員約60名になり次第、受け付けを終了します)。
参加費: 法人会員:無料                   非会員:一般 会場参加 3,000円 / オンライン参加 3,000円(同額)                   学生 会場参加 3,000円 / オンライン参加 1,000円                   (オンライン参加者の参加費は、後日請求させていただきます)

特集テーマ:特集テーマ「パワー半導体SiC・GaNの現状と未来、最新プロセス」

【プログラム】
座長:日機装(株) 岡田 康弘
2023-192-1014 「SiCアライアンスの活動と2100年のモビリティ」
戸田 敬二(SiCアライアンス副会長・推進委員長)(13:00~13:40)
2023-192-1014
「SiCアライアンスの活動と2100年のモビリティ」
戸田 敬二(SiCアライアンス副会長・推進委員長)(13:00~13:40)

 SiCアライアンスは、2010年に発足し、当時同時に実施されていた、SiC関連の3つの国家プロジェクトの連携を図り、SiC研究開発の加速を担っていた。SiC開発は、大きな成果を上げ、実用化のフェーズに突入し、SiCアライアンスの役割も普及の促進へと変わってきた。普及に向けた様々な活動を行っており、その概要を紹介する。その中でも、2100年のモビリティについて検討している内容を中心にお話する。


2023-192-1015 「SiC MOSFET の最新技術」
岩室 憲幸(筑波大学 数理物質系)(13:45~14:25)
2023-192-1015
「SiC MOSFET の最新技術」
岩室 憲幸(筑波大学 数理物質系)(13:45~14:25)

 SiC MOSFET普及拡大の 鍵 はその コストパフォーマンス向上 にある。 そのためには SiC ウェハ自体の一層の低コスト化 に加え 低オン抵抗・低スイッチング損失特性に代表される SiC MOSFET の高性能化が必要不可欠である。 本講演では これら高性能化 を実現するための最新技術について紹介する 。


2023-192-1016 「ScAlMgO4結晶のGaN成長用基板としての可能性と今後の展開」
小島 孝広(株式会社オキサイド 新事業推進室(兼)営業本部 マネージャー)(14:30~15:10)
2023-192-1016
「「ScAlMgO4結晶のGaN成長用基板としての可能性と今後の展開」
小島 孝広(株式会社オキサイド 新事業推進室(兼)営業本部 マネージャー)(14:30~15:10)

 ScAlMgO4(以下、SAM)結晶は、GaNとの格子不整合差および熱膨張係数差が小さいことから、サファイア基板と比較して転位密度や歪低減の効果が期待できる。またSAM結晶は無転位結晶育成の報告例があり、高品質GaNエピ基板として高いポテンシャルがある。以上のことからSAM基板結晶を用いることで、従来より高品質なGaNおよびInXGaX-1Nエピ成長が理論的に可能と考えられ近年注目されている。 本講演ではSAMの結晶成長に関して解説し、SAM基板を用いたエピ成長の実施例について紹介する。


休 憩                                           (15:10~15:30)


2023-192-1017 「パワー半導体のサイクル試験とストレス印可での製品故障と解析」
佐藤 英登(株式会社デンケン イノベーションセンター フェロー)(15:30~16:10)
2023-192-1017
「パワー半導体のサイクル試験とストレス印可での製品故障と解析」
佐藤 英登(株式会社デンケン イノベーションセンター フェロー)(15:30~16:10)

 パワー半導体 (IGBTやSiCなど) での実使用ストレスを模擬した印可が可能な装置開発と、ストレス印可方法、製品異常検出手法の紹介と、異常発生した製品の故障モードと解析手法について述べる。


2023-192-1018 「Pressure sintering – overview and market trends」
Mr. Florian Seifert(Heraeus Electronics Global Product Manager Power Modules)(16:15-16:55)
2023-192-1018
「Pressure sintering – overview and market trends」
Mr. Florian Seifert(Heraeus Electronics Global Product Manager Power Modules)(16:15-16:55)

 Pressure sintering is gaining momentum in the market. This presentation gives an overview about the motivation for pressure sintering as state of the art interconnection technology and shows the current market trends of Power Electronics.


2023-192-1019 「パワー半導体向け3Dプレス技術とシンタリング(焼結)装置開発」
牧野 由(日機装株式会社 インダストリアル事業本部 精密機器技術センター)(17:00~17:30)
2023-192-1019
「パワー半導体向け3Dプレス技術とシンタリング(焼結)装置開発」
牧野 由(日機装株式会社 インダストリアル事業本部 精密機器技術センター)(17:00~17:30)

 EVで採用が急増中のSiCパワー半導体の基板への接合工程において、平面で加圧するメタルプレス方式では均一加圧が難しく、信頼性・耐久性に課題があった。本講演では、当社独自の特殊ゲル状加圧媒体を用いた立体的な3Dプレス方法での均一圧着により、効率的かつ高品質なモジュール製造が可能となる技術の説明、及びパワー半導体の接合特性に合ったシンタリング(焼結)装置「3Dシンター」の開発内容について述べる。


 引き続き、講演会場参加者で事前予約をされた方を対象として、17時30分頃から講演会場と同じ施設内(カンファレンスルーム5)での自由討論会(参加費3,000円)を開催します。奮ってご参加いただき、討論をお続けください。


第192回担当幹事:日機装(株)岡田康弘
yokada@nikkiso.co.jp
オンライン担当 : info-ecpm@elecera.org
ホームページ :   http://elecerapm.com/

<オンラインでの参加者への注意事項> 1. 録画および録音は厳禁とさせていただきます。 2. 講演予稿集は登録者に研究会開催までに電子配信し、また会場でも冊子配布致します。
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(ハイブリッド)
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