第111回電子セラミック・プロセス研究会プログラム

日時　平成19年11月17日(土)　13:00 より

場所　湘南工科大学・東京キャンパス

　　　東京都港区三田3-7-18　糸山タワー7階

評議員会(評議員、役員のみ)                                         (12:00-13:00)

特集テーマ；「高周波デバイスを支える電子材料」

座長：岡村　寛志（昭栄化学工業（株））

19-111-634  高周波フィルタあるいはモジュール用のＬＴＣＣ材料プロセス技術

    　　　　加賀田　博司　(パナソニックエレクトロニックデバイス(株))（13:00-13:45）

19-111-635  インクジェット法によるＬＴＣＣ基板への配線形成

   　　　　 小岩井　孝二（ＫＯＡ（株））　　　　　　　　　         (13:45-14:30)

19-111-636  ミリ波ＲＦモジュールへのセラミック技術の適用

伊東　正治（NECデバイスプラットフォーム研究所）        (14:30-15:15)

コーヒーブレイク                      　                 　        (15:15-15:30)

座長：森　　透（日本電気（株））

19-111-637  エアロゾルデポジションによる受動素子内蔵基板技術

　　　　　　今中　佳彦（富士通研究所）                             (15:30-16:15)

19-111-638  ＡＤ法による常温衝撃固化現象を利用した誘電体層の形成

明渡　純 （産業技術総合研究所）　　　　　　　　　　　　 (16:15-17:00)

なお17:00より、同ビル1階レストラン（イルフィーロ）において懇親会を開きます。会費は1000円です。奮ってご参加いただき討論をお続け下さい。

　                     　　　　　　　今回担当幹事　岡村　寛志 （昭栄化学工業（株））

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 森　　透  （日本電気（株）