111回電子セラミック・プロセス研究会プログラム

 

日時 平成19年11月17日(土) 13:00 より

場所 湘南工科大学・東京キャンパス

   東京都港区三田3-7-18 糸山タワー7階

 

評議員会(評議員、役員のみ)                                         (12:00-13:00)

                                

特集テーマ;「高周波デバイスを支える電子材料」

 

座長:岡村 寛志(昭栄化学工業(株))

19-111-634  高周波フィルタあるいはモジュール用のLTCC材料プロセス技術

        加賀田 博司 (パナソニックエレクトロニックデバイス())13:00-13:45)

                 

19-111-635  インクジェット法によるLTCC基板への配線形成

        小岩井 孝二(KOA(株))                  (13:45-14:30)

 

19-111-636  ミリ波RFモジュールへのセラミック技術の適用

伊東 正治NECデバイスプラットフォーム研究所        (14:30-15:15)

 

コーヒーブレイク                                                 (15:15-15:30)

 

座長:森  透(日本電気(株))

19-111-637  エアロゾルデポジションによる受動素子内蔵基板技術

      今中 佳彦富士通研究所                             (15:30-16:15)

 

19-111-638  AD法による常温衝撃固化現象を利用した誘電体層の形成

明渡 純 産業技術総合研究所)             (16:15-17:00)

     

 

なお17:00より、同ビル1階レストラン(イルフィーロ)において懇親会を開きます。会費は1000円です。奮ってご参加いただき討論をお続け下さい。

                             今回担当幹事 岡村 寛志 (昭栄化学工業(株)

                          森  透  (日本電気(株)

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